汽车芯片大厂英飞凌（Infineon）在德国德累斯顿计划投资50亿欧元的新300毫米（12英寸）晶圆厂于当地时间2日正式破土动工。
英飞凌首席执行官Jochen Hanebeck、欧盟执委会主席冯德莱恩 (Ursula von der Leyen)、德国总理奥拉夫·肖尔茨 (Olaf Scholz)、萨克森邦首长克里契麦 (Michael Kretschmer) 和德累斯顿市长希伯特 (Dirk Hilbert) 等共同出席了动工仪式。
投资50亿欧元，英飞凌新的12吋晶圆厂落户德累斯顿
早在1994年英飞凌还隶属于西门子之时就在德累斯顿建立了工厂，并于1995 年开始生产200 毫米晶圆。五年后英飞凌的全球首座300毫米晶圆厂在德累斯顿破土动工。2011年，英飞凌决定将其功率半导体的300毫米晶圆大批量生产落户德累斯顿。2018年，英飞凌还在德累斯顿成立了汽车电子及人工智能开发中心。目前英飞凌在原有的德累斯顿晶圆厂拥有3250名员工。
据了解，英飞凌此次新建的这座12吋新晶圆厂将主要生产模拟和功率半导体，总投资金额为 50 亿欧元，将是英飞凌史上最大的单一投资案。
新工厂将作为“一个虚拟工厂”（One Virtual Fab）与英飞凌Villach工厂紧密相连。这一电力电子制造综合体基于高效的300毫米技术，将提高效率水平，为英飞凌提供额外的灵活性，以便更快地为客户供货。同时，该工厂将配备最新的环保技术，将是同类工厂中最环保的制造设施之一。
英飞凌CEO Jochen Hanebeck表示：“鉴于对可再生能源、数据中心和电动汽车的高需求，全球半导体需求将强劲持续增长。我们正在显着提高我们的生产能力，并将生产模拟、混合信号和功率半导体。我们的新工厂将在本十年的后半段满足客户的需求。我们正在共同推动减碳和数字化。”“凭借这一突破性进展，英飞凌将为我们社会的绿色和数字化转型做出了重要贡献。”
目前正在进行新工厂建设的前期准备措施，工厂的基础设施建造计划于2023年秋季开始，预计将于2026年秋季正式量产。届时将会创造1000个新的工作岗位。
助力欧洲半导体制造份额提升至20%
冯德莱恩表示，过去几十年来，世界各个区域过于专注于各自的优势，半导体生产集中在中国台湾和韩国，欧洲在全球半导体制造能力中的份额一直在稳步下降，目前仅有10%。欧洲忽视半导体生产的时间太长了，“我们看到过去几年紧张局势加剧”，为了减轻供应链中断，“我们需要在欧洲增加产量。”《欧洲芯片法案》旨在扭转这一趋势，英飞凌的新工厂将有助于欧盟实现到2030年在欧盟范围内实现全球半导体产量20%份额的目标。“随着对微芯片的需求将继续快速增长，我们在欧洲需要更多这样的项目。”
根据即将正式生效的《欧洲芯片法》，欧盟委员会和成员国将在未来几年内筹集430亿欧元，将欧洲芯片产量在全球的份额提升至20%，以在数字领域创建一个更强大、更有韧性的欧洲。
英飞凌：脱胎于西门子
20世纪70年代，美国正处于油价高涨与石油紧缺的供需矛盾之下，对社会、经济发展都造成了许多影响，这背后是巨大的油耗量。而造成油耗量巨大的原因是当时汽车、工业产品的电机效率低下。
如果把电比作是血液，那么电机/电控就好比是电动汽车的心脏。而功率半导体就是其中电能转换和控制的核心，主要用于改变电压和频率。
其实当时用于控制电机转速的MOSFET（氧化物半导体场效应晶体管）已经是比较好的功率器件了，它能够以可变频率向电机组输出功率；但是由于MOSFET只能应用于低压场景中，并不足以满足高电压下对输出电压的准确调节。
1980年，美国通用电气的工程师Jayant Baliga发明了一种兼具MOSFET管和双极型晶体管（BJT）优点的复合型元器件——IGBT（绝缘栅双极晶体管），能够更好地控制感应电机的电源线频率，进而控制其转速使得功率降低，以减少油耗损失。
事实上IGBT的结构与MOSFET十分接近，只是在其背面增加了N+和P+层，“+”意味着更高的自由电子或者空穴密度。从而IGBT在保留MOSFET优点的同时，增加了载流能力和抗压能力。
现在IGBT也被称为是电力电子行业里的“CPU”，在照明、工业、消费、交通、医疗、可再生能源、电力传输等众多领域中获得了广泛的应用。
IGBT既可以帮助空调、洗衣机实现较小的导通损耗和开关损耗，实现节能减排；又可以应用在急救除颤器上，使其从200V电源输出100KW的双向震动；还可以应用于太阳能、风能发电的逆变器里，将蓄电池的直流电逆变成交流电。
不过，尽管通用公司最先做出这个被誉为掌控电力世界的钥匙——IGBT，但是由于通用公司内部投资形势不太乐观，再加上Baliga发明了IGBT之后，西门子、三菱、富士等厂商立刻对这种器件产生了浓厚的兴趣，开始着力研发，与通用形成了激烈的竞争。
最终在1988年通用公司决定卖掉整个半导体业务，同时也放弃了这把“钥匙”。眼见通用退出比赛，德国西门子与日本三菱、富士一涌而上，瓜分剩余的市场份额。
20世纪末期全球IGBT芯片产业角逐激烈，德国和日本可以说是IGBT角斗场上最为重磅的两位玩家，而当时的中国仿佛被这一场竞争隔绝在外。
1996年西门子半导体事业部来无锡设立封测厂，1999年西门子将半导体部门抛售，后改名为英飞凌，西门子无锡封测厂也随之更名为英飞凌科技（无锡）有限公司。短短四年时间，英飞凌的第六代IGBT承受工作电压水平从之前的4500V提高到6500V，全球市占率超过一半，占据绝对领先地位。
兼并整合成为发展利器
2009-2018年是英飞凌高速发展的十年，公司调整了企业战略，卖掉了市场竞争激烈、利润率相对低的产品线，转而聚焦科技含量高、有竞争优势的核心业务，重点瞄准未来的自动驾驶汽车/电动汽车，能源环保，安全类等芯片业务。这10年里，英飞凌营业额年均增长11%。即使在工业增长明显放缓，全球车企纷纷亏损的2019年，英飞凌依然实现了5%的增长。
最近几年，半导体行业巨头不断加快并购收购的整合频率，以增加彼此各自的壁垒和竞争力。作为最近这次大规模并购的主角，英飞凌这几年也在不断地大鱼吃小鱼。2016年8月上任的英飞凌科技CEO莱因哈德·普洛斯（Reinhard Ploss）一直试图成为一名行业整合者。
2015年1月，英飞凌完成对美国国际整流器公司 (International Rectifier) 的收购。该并购为英飞凌增加了更多电源管理系统技术，进一步加强了其在功率半导体方面的优势，并整合了第三代化合物半导体（即氮化镓）领域的先进技术。
2016年10月，英飞凌科技收购了荷兰MEMS 设计公司Innoluce ，用于补充其为蓬勃发展的自动驾驶技术传感器市场的领先优势。Innoluce由飞利浦分拆而来，主要销售基于谐振MEMS反射镜和相关信号处理集成电路的固态激光扫描模块。
2017年英飞凌科技曾经试图收购美国Cree公司的半导体部门，但是Cree最后表示无法满足美国国家安全委员会的要求，此项并购也随之流产。
2018年2月，英飞凌科技还收购了Merus Audio公司，进一步巩固英飞凌科技在人机交互（HMI）领域的技术专长。
据IC Insights分析，越来越多的合并和收购将导致主要芯片制造商和供应商越来越少，这是供应链的一个主要变化，说明行业已经走向成熟和日趋专业化。
汽车半导体行业第一
2020年，公司斥资90亿欧元收购竞争对手美国赛普拉斯，成为汽车半导体行业第一，力压恩智浦、瑞萨、TI德州仪器、意法半导体等，并跻身全球十大半导体制造商之列。大众、福特、通用、特斯拉、比亚迪、现代等都用过英飞凌的产品，全球最畅销的20款纯电动和混合动力车型，有15款使用其器件。
受益于过去几年的“缺芯”风暴，英飞凌迅猛发展。2022财年实现营收142.18亿欧元（约合人民币1042亿元），净利润33.78亿欧元，同比分别增长29%和63%；利润率达到23.8%（上年为18.7%）。2023财年第一财季（截至2022年12月31日）营收39.51亿欧元，同比增长25%，全年预计将达到155亿欧元。
为满足不断增长的需求，英飞凌积极扩大产能，2021年位于奥地利菲拉赫的新晶圆厂投入使用。还计划投资50亿欧元，在德国东部城市德累斯顿新建一座12英寸晶圆厂，预计2026年投产，这也是该公司历史上最大的单笔投资。
早在上世纪90年代中期，英飞凌就进入中国市场，投资3亿美元在江苏无锡建立第一家工厂，主要产品为分立器件和智能卡芯片。2018年正式成立大中华区，总部设在上海张江人工智能岛，形成了以北京、上海、深圳和香港为核心的紧密的销售网络。如今，中国已经成为英飞凌最大单一营收来源区域，过去十年间收入比重从15%左右提升到40%。
英飞凌对车用半导体市场非常看重，目前约有60%的营业收入来自功率半导体，而汽车电子事业部是英飞凌的重中之重。
除了为汽车电子提供端到端解决方案，英飞凌还通过建立汽车电子生态圈，让自己成为行业的巨头。自2010年成立以来，英飞凌科技汽车电子生态圈始终致力于推动本土设计产业化，帮助很多车企成功将产品推向市场。
